કનેક્ટેડ ખોટો વીજ પુરવઠો હકારાત્મક અને નકારાત્મક સર્કિટનો ધુમાડો, આ અકળામણ કેવી રીતે ટાળવી?

હાર્ડવેર એન્જિનિયરોના ઘણા પ્રોજેક્ટ્સ હોલ બોર્ડ પર પૂર્ણ થાય છે, પરંતુ વીજ પુરવઠાના હકારાત્મક અને નકારાત્મક ટર્મિનલ્સને અકસ્માતે જોડવાની ઘટના છે, જેના કારણે ઘણા ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકો બળી જાય છે, અને આખું બોર્ડ પણ નાશ પામે છે, અને તે જરૂરી છે. ફરીથી વેલ્ડિંગ કરી શકાય છે, મને ખબર નથી કે તેને હલ કરવાની કઈ સારી રીત છે?

સૌ પ્રથમ, બેદરકારી અનિવાર્ય છે, જો કે તે માત્ર હકારાત્મક અને નકારાત્મક બે વાયર, એક લાલ અને કાળો, એક વાર વાયર થઈ શકે છે, અમે ભૂલો કરીશું નહીં; દસ કનેક્શન ખોટું નહીં થાય, પણ 1,000? 10,000 વિશે શું? આ સમયે તે કહેવું મુશ્કેલ છે, અમારી બેદરકારીને કારણે, કેટલાક ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકો અને ચિપ્સ બળી જાય છે, તેનું મુખ્ય કારણ એ છે કે વર્તમાન ખૂબ વધારે છે એમ્બેસેડર ઘટકો તૂટી ગયા છે, તેથી આપણે રિવર્સ કનેક્શનને રોકવા માટે પગલાં લેવા જોઈએ. .

સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતી નીચેની પદ્ધતિઓ છે:

01 ડાયોડ શ્રેણી પ્રકાર વિરોધી રિવર્સ પ્રોટેક્શન સર્કિટ

આગળ વહન અને રિવર્સ કટઓફની ડાયોડની લાક્ષણિકતાઓનો સંપૂર્ણ ઉપયોગ કરવા માટે એક ફોરવર્ડ ડાયોડ પોઝિટિવ પાવર ઇનપુટ પર શ્રેણીમાં જોડાયેલ છે. સામાન્ય સંજોગોમાં, ગૌણ નળી વહન કરે છે અને સર્કિટ બોર્ડ કામ કરે છે.

જ્યારે વીજ પુરવઠો ઉલટાવી દેવામાં આવે છે, ત્યારે ડાયોડ કાપી નાખવામાં આવે છે, વીજ પુરવઠો લૂપ બનાવી શકતો નથી, અને સર્કિટ બોર્ડ કામ કરતું નથી, જે પાવર સપ્લાયની સમસ્યાને અસરકારક રીતે અટકાવી શકે છે.

02 રેક્ટિફાયર બ્રિજ પ્રકાર એન્ટી-રિવર્સ પ્રોટેક્શન સર્કિટ

પાવર ઇનપુટને બિન-ધ્રુવીય ઇનપુટમાં બદલવા માટે રેક્ટિફાયર બ્રિજનો ઉપયોગ કરો, પછી ભલે પાવર સપ્લાય જોડાયેલ હોય કે વિપરીત, બોર્ડ સામાન્ય રીતે કામ કરે છે.

જો સિલિકોન ડાયોડમાં લગભગ 0.6~0.8V નો પ્રેશર ડ્રોપ હોય, તો જર્મેનિયમ ડાયોડમાં પણ લગભગ 0.2~0.4V નો પ્રેશર ડ્રોપ હોય, જો પ્રેશર ડ્રોપ ખૂબ મોટો હોય, તો MOS ટ્યુબનો ઉપયોગ વિરોધી પ્રતિક્રિયા સારવાર માટે કરી શકાય છે, એમઓએસ ટ્યુબનું દબાણ ડ્રોપ ખૂબ જ નાનું છે, થોડા મિલીઓહમ સુધી, અને દબાણમાં ઘટાડો લગભગ નજીવો છે.

03 એમઓએસ ટ્યુબ એન્ટી-રિવર્સ પ્રોટેક્શન સર્કિટ

પ્રક્રિયા સુધારણા, તેના પોતાના ગુણધર્મો અને અન્ય પરિબળોને કારણે MOS ટ્યુબ, તેની વાહક આંતરિક પ્રતિકાર નાની છે, ઘણી મિલીઓહમ સ્તરની છે, અથવા તેનાથી પણ નાની છે, જેથી સર્કિટ વોલ્ટેજ ડ્રોપ, સર્કિટને કારણે પાવર લોસ ખાસ કરીને નાનું છે, અથવા તો નહિવત છે. , તેથી સર્કિટને સુરક્ષિત રાખવા માટે MOS ટ્યુબ પસંદ કરો એ વધુ ભલામણ કરેલ રીત છે.

1) NMOS રક્ષણ 

નીચે બતાવ્યા પ્રમાણે: પાવર-ઓન થવાની ક્ષણે, MOS ટ્યુબનો પરોપજીવી ડાયોડ ચાલુ થાય છે, અને સિસ્ટમ લૂપ બનાવે છે. સ્ત્રોત S ની સંભવિતતા લગભગ 0.6V છે, જ્યારે ગેટ G ની સંભવિતતા Vbat છે. MOS ટ્યુબનું ઓપનિંગ વોલ્ટેજ અત્યંત છે: Ugs = Vbat-Vs, ગેટ ઊંચો છે, NMOS નું ds ચાલુ છે, પરોપજીવી ડાયોડ શોર્ટ-સર્ક્યુટ છે, અને સિસ્ટમ NMOS ના ds એક્સેસ દ્વારા લૂપ બનાવે છે.

જો વીજ પુરવઠો ઉલટાવી દેવામાં આવે છે, તો NMOS નું ઑન-વોલ્ટેજ 0 છે, NMOS કાપી નાખવામાં આવે છે, પરોપજીવી ડાયોડ ઉલટાવી દેવામાં આવે છે, અને સર્કિટ ડિસ્કનેક્ટ થઈ જાય છે, આમ સુરક્ષા બનાવે છે.

2) PMOS રક્ષણ

નીચે બતાવ્યા પ્રમાણે: પાવર-ઓન થવાની ક્ષણે, MOS ટ્યુબનો પરોપજીવી ડાયોડ ચાલુ થાય છે, અને સિસ્ટમ લૂપ બનાવે છે. સ્ત્રોત S ની સંભવિતતા લગભગ Vbat-0.6V છે, જ્યારે ગેટ G ની સંભવિત 0 છે. MOS ટ્યુબનું ઓપનિંગ વોલ્ટેજ અત્યંત છે: Ugs = 0 – (Vbat-0.6), દરવાજો નીચા સ્તર તરીકે વર્તે છે , PMOS ના ds ચાલુ છે, પરોપજીવી ડાયોડ શોર્ટ-સર્ક્યુટેડ છે, અને સિસ્ટમ PMOS ના ds એક્સેસ દ્વારા લૂપ બનાવે છે.

જો વીજ પુરવઠો ઉલટાવી દેવામાં આવે છે, તો NMOSનું ઓન-વોલ્ટેજ 0 કરતા વધારે છે, PMOS કાપી નાખવામાં આવે છે, પરોપજીવી ડાયોડ ઉલટાવી દેવામાં આવે છે, અને સર્કિટ ડિસ્કનેક્ટ થઈ જાય છે, આમ સુરક્ષા બનાવે છે.

નોંધ: NMOS ટ્યુબ્સ સ્ટ્રિંગ ds ને નેગેટિવ ઇલેક્ટ્રોડ તરફ, PMOS ટ્યુબ્સ સ્ટ્રિંગ ds ને પોઝિટિવ ઇલેક્ટ્રોડ અને પરોપજીવી ડાયોડ દિશા યોગ્ય રીતે જોડાયેલ વર્તમાન દિશા તરફ છે.

MOS ટ્યુબના D અને S ધ્રુવોની ઍક્સેસ: સામાન્ય રીતે જ્યારે N ચેનલ સાથે MOS ટ્યુબનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, ત્યારે સામાન્ય રીતે કરંટ D ધ્રુવમાંથી પ્રવેશે છે અને S ધ્રુવમાંથી બહાર વહે છે, અને PMOS પ્રવેશે છે અને D Sમાંથી બહાર નીકળી જાય છે. ધ્રુવ, અને વિપરીત સાચું છે જ્યારે આ સર્કિટમાં લાગુ કરવામાં આવે છે, MOS ટ્યુબની વોલ્ટેજ સ્થિતિ પરોપજીવી ડાયોડના વહન દ્વારા પૂરી થાય છે.

જ્યાં સુધી G અને S ધ્રુવો વચ્ચે યોગ્ય વોલ્ટેજ સ્થાપિત થાય ત્યાં સુધી MOS ટ્યુબ સંપૂર્ણ રીતે ચાલુ રહેશે. કંડક્ટ કર્યા પછી, એવું છે કે D અને S વચ્ચે સ્વીચ બંધ છે, અને વર્તમાન એ D થી S અથવા S થી D સુધી સમાન પ્રતિકાર છે.

પ્રાયોગિક કાર્યક્રમોમાં, G ધ્રુવ સામાન્ય રીતે રેઝિસ્ટર સાથે જોડાયેલ હોય છે, અને MOS ટ્યુબને તૂટતી અટકાવવા માટે, વોલ્ટેજ રેગ્યુલેટર ડાયોડ પણ ઉમેરી શકાય છે. વિભાજકની સમાંતરમાં જોડાયેલ કેપેસિટર સોફ્ટ-સ્ટાર્ટ અસર ધરાવે છે. આ ક્ષણે વર્તમાન પ્રવાહ શરૂ થાય છે, કેપેસિટર ચાર્જ થાય છે અને G ધ્રુવનું વોલ્ટેજ ધીમે ધીમે બિલ્ટ અપ થાય છે.

PMOS માટે, NOMS ની સરખામણીમાં, Vgs એ થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ કરતા વધારે હોવું જરૂરી છે. કારણ કે ઓપનિંગ વોલ્ટેજ 0 હોઈ શકે છે, ડીએસ વચ્ચેના દબાણનો તફાવત મોટો નથી, જે NMOS કરતાં વધુ ફાયદાકારક છે.

04 ફ્યુઝ રક્ષણ

ફ્યુઝ વડે પાવર સપ્લાયનો ભાગ ખોલ્યા પછી ઘણી સામાન્ય ઈલેક્ટ્રોનિક પ્રોડક્ટ્સ જોઈ શકાય છે, પાવર સપ્લાય રિવર્સ થાય છે, મોટા કરંટને કારણે સર્કિટમાં શોર્ટ સર્કિટ થાય છે, અને પછી ફ્યુઝ ફૂંકાય છે, તેને સુરક્ષિત કરવામાં ભૂમિકા ભજવે છે. સર્કિટ, પરંતુ આ રીતે રિપેર અને રિપ્લેસમેન્ટ વધુ મુશ્કેલીકારક છે.