ખોટો પાવર સપ્લાય પોઝિટિવ અને નેગેટિવ સર્કિટનો ધુમાડો જોડાયેલો છે, આ શરમથી કેવી રીતે બચવું?

હાર્ડવેર એન્જિનિયરોના ઘણા પ્રોજેક્ટ હોલ બોર્ડ પર પૂર્ણ થાય છે, પરંતુ પાવર સપ્લાયના પોઝિટિવ અને નેગેટિવ ટર્મિનલ્સને આકસ્મિક રીતે જોડવાની ઘટના બને છે, જેના કારણે ઘણા ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકો બળી જાય છે, અને આખું બોર્ડ પણ નાશ પામે છે, અને તેને ફરીથી વેલ્ડિંગ કરવું પડે છે, મને ખબર નથી કે તેને ઉકેલવાનો સારો રસ્તો કયો છે?

સૌ પ્રથમ, બેદરકારી અનિવાર્ય છે, જોકે તે ફક્ત બે ધન અને ઋણ વાયર, લાલ અને કાળા, ને એક વાર વાયર કરી શકાય છે, તે અલગ પાડવા માટે છે, આપણે ભૂલો નહીં કરીએ; દસ કનેક્શન ખોટા નહીં થાય, પણ 1,000? 10,000 વિશે શું? આ સમયે કહેવું મુશ્કેલ છે કે, આપણી બેદરકારીને કારણે, કેટલાક ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકો અને ચિપ્સ બળી જાય છે, મુખ્ય કારણ એ છે કે કરંટ ખૂબ વધારે છે એમ્બેસેડર ઘટકો તૂટી ગયા છે, તેથી આપણે રિવર્સ કનેક્શનને રોકવા માટે પગલાં લેવા જોઈએ.

સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતી નીચેની પદ્ધતિઓ છે:

01 ડાયોડ શ્રેણી પ્રકાર એન્ટિ-રિવર્સ પ્રોટેક્શન સર્કિટ

ડાયોડની ફોરવર્ડ કન્ડક્શન અને રિવર્સ કટઓફની લાક્ષણિકતાઓનો સંપૂર્ણ ઉપયોગ કરવા માટે ફોરવર્ડ ડાયોડને પોઝિટિવ પાવર ઇનપુટ પર શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. સામાન્ય પરિસ્થિતિઓમાં, સેકન્ડરી ટ્યુબ કન્ડક્ટ કરે છે અને સર્કિટ બોર્ડ કામ કરે છે.

જ્યારે પાવર સપ્લાય ઉલટાવી દેવામાં આવે છે, ત્યારે ડાયોડ કાપી નાખવામાં આવે છે, પાવર સપ્લાય લૂપ બનાવી શકતો નથી, અને સર્કિટ બોર્ડ કામ કરતું નથી, જે પાવર સપ્લાયની સમસ્યાને અસરકારક રીતે અટકાવી શકે છે.

02 રેક્ટિફાયર બ્રિજ પ્રકાર એન્ટિ-રિવર્સ પ્રોટેક્શન સર્કિટ

પાવર ઇનપુટને નોન-પોલર ઇનપુટમાં બદલવા માટે રેક્ટિફાયર બ્રિજનો ઉપયોગ કરો, પાવર સપ્લાય જોડાયેલ હોય કે ઉલટાવી દેવામાં આવે, બોર્ડ સામાન્ય રીતે કાર્ય કરે છે.

જો સિલિકોન ડાયોડમાં દબાણમાં ઘટાડો લગભગ 0.6~0.8V હોય, તો જર્મેનિયમ ડાયોડમાં પણ દબાણમાં ઘટાડો લગભગ 0.2~0.4V હોય છે, જો દબાણમાં ઘટાડો ખૂબ મોટો હોય, તો MOS ટ્યુબનો ઉપયોગ પ્રતિક્રિયા વિરોધી સારવાર માટે થઈ શકે છે, MOS ટ્યુબનો દબાણમાં ઘટાડો ખૂબ જ નાનો હોય છે, થોડા મિલિઓહ્મ સુધી, અને દબાણમાં ઘટાડો લગભગ નહિવત્ હોય છે.

03 MOS ટ્યુબ એન્ટિ-રિવર્સ પ્રોટેક્શન સર્કિટ

પ્રક્રિયા સુધારણા, તેના પોતાના ગુણધર્મો અને અન્ય પરિબળોને કારણે, MOS ટ્યુબનો આંતરિક વાહક પ્રતિકાર નાનો છે, ઘણા મિલિઓહ્મ સ્તરના છે, અથવા તેનાથી પણ નાના છે, જેથી સર્કિટ વોલ્ટેજ ડ્રોપ, સર્કિટને કારણે પાવર લોસ ખાસ કરીને નાનો છે, અથવા તો નગણ્ય છે, તેથી સર્કિટને સુરક્ષિત રાખવા માટે MOS ટ્યુબ પસંદ કરવી એ વધુ ભલામણ કરેલ રીત છે.

૧) NMOS રક્ષણ 

નીચે બતાવ્યા પ્રમાણે: પાવર-ઓન કરતી વખતે, MOS ટ્યુબનો પરોપજીવી ડાયોડ ચાલુ થાય છે, અને સિસ્ટમ એક લૂપ બનાવે છે. સ્ત્રોત S નો પોટેન્શિયલ લગભગ 0.6V છે, જ્યારે ગેટ G નો પોટેન્શિયલ Vbat છે. MOS ટ્યુબનો ઓપનિંગ વોલ્ટેજ અત્યંત છે: Ugs = Vbat-Vs, ગેટ ઊંચો છે, NMOS નો ds ચાલુ છે, પરોપજીવી ડાયોડ શોર્ટ-સર્કિટ થયેલ છે, અને સિસ્ટમ NMOS ના ds એક્સેસ દ્વારા લૂપ બનાવે છે.

જો પાવર સપ્લાય ઉલટાવી દેવામાં આવે, તો NMOS નું ઓન-વોલ્ટેજ 0 હોય છે, NMOS કાપી નાખવામાં આવે છે, પરોપજીવી ડાયોડ ઉલટાવી દેવામાં આવે છે, અને સર્કિટ ડિસ્કનેક્ટ થઈ જાય છે, આમ રક્ષણ રચાય છે.

2) PMOS રક્ષણ

નીચે બતાવ્યા પ્રમાણે: પાવર-ઓન કરતી વખતે, MOS ટ્યુબનો પરોપજીવી ડાયોડ ચાલુ થાય છે, અને સિસ્ટમ એક લૂપ બનાવે છે. સ્ત્રોત S નો પોટેન્શિયલ લગભગ Vbat-0.6V છે, જ્યારે ગેટ G નો પોટેન્શિયલ 0 છે. MOS ટ્યુબનો ઓપનિંગ વોલ્ટેજ અત્યંત છે: Ugs = 0 – (Vbat-0.6), ગેટ નીચા સ્તર તરીકે વર્તે છે, PMOS નો ds ચાલુ છે, પરોપજીવી ડાયોડ શોર્ટ-સર્કિટ થયેલ છે, અને સિસ્ટમ PMOS ના ds એક્સેસ દ્વારા લૂપ બનાવે છે.

જો પાવર સપ્લાય ઉલટાવી દેવામાં આવે, તો NMOS નું ઓન-વોલ્ટેજ 0 કરતા વધારે હોય, PMOS કાપી નાખવામાં આવે, પરોપજીવી ડાયોડ ઉલટાવી દેવામાં આવે, અને સર્કિટ ડિસ્કનેક્ટ થઈ જાય, આમ રક્ષણ બને છે.

નોંધ: NMOS ટ્યુબ્સ ds ને નેગેટિવ ઇલેક્ટ્રોડ સાથે જોડે છે, PMOS ટ્યુબ્સ ds ને પોઝિટિવ ઇલેક્ટ્રોડ સાથે જોડે છે, અને પરોપજીવી ડાયોડ દિશા યોગ્ય રીતે જોડાયેલા વર્તમાન દિશા તરફ છે.

MOS ટ્યુબના D અને S ધ્રુવોનો પ્રવેશ: સામાન્ય રીતે જ્યારે N ચેનલવાળી MOS ટ્યુબનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, ત્યારે પ્રવાહ સામાન્ય રીતે D ધ્રુવમાંથી પ્રવેશે છે અને S ધ્રુવમાંથી બહાર વહે છે, અને PMOS S ધ્રુવમાંથી પ્રવેશે છે અને D બહાર નીકળે છે, અને આ સર્કિટમાં લાગુ કરવામાં આવે ત્યારે વિપરીત સાચું છે, MOS ટ્યુબની વોલ્ટેજ સ્થિતિ પરોપજીવી ડાયોડના વહન દ્વારા પૂરી થાય છે.

જ્યાં સુધી G અને S ધ્રુવો વચ્ચે યોગ્ય વોલ્ટેજ સ્થાપિત થાય ત્યાં સુધી MOS ટ્યુબ સંપૂર્ણપણે ચાલુ રહેશે. વાહકતા પછી, એવું લાગે છે કે D અને S વચ્ચે સ્વીચ બંધ છે, અને પ્રવાહ D થી S અથવા S થી D સુધી સમાન પ્રતિકાર છે.

વ્યવહારુ ઉપયોગોમાં, G ધ્રુવ સામાન્ય રીતે રેઝિસ્ટર સાથે જોડાયેલ હોય છે, અને MOS ટ્યુબને તૂટતા અટકાવવા માટે, વોલ્ટેજ રેગ્યુલેટર ડાયોડ પણ ઉમેરી શકાય છે. ડિવાઇડર સાથે સમાંતર જોડાયેલ કેપેસિટર સોફ્ટ-સ્ટાર્ટ અસર ધરાવે છે. જે ક્ષણે કરંટ વહેવાનું શરૂ થાય છે, કેપેસિટર ચાર્જ થાય છે અને G ધ્રુવનો વોલ્ટેજ ધીમે ધીમે બને છે.

PMOS માટે, NOMS ની તુલનામાં, Vgs થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ કરતા વધારે હોવું જરૂરી છે. કારણ કે ઓપનિંગ વોલ્ટેજ 0 હોઈ શકે છે, DS વચ્ચે દબાણ તફાવત મોટો નથી, જે NMOS કરતા વધુ ફાયદાકારક છે.

04 ફ્યુઝ સુરક્ષા

પાવર સપ્લાય ભાગને ફ્યુઝથી ખોલ્યા પછી ઘણી સામાન્ય ઇલેક્ટ્રોનિક પ્રોડક્ટ્સ જોઈ શકાય છે, પાવર સપ્લાય ઉલટાવી દેવામાં આવે છે, મોટા કરંટને કારણે સર્કિટમાં શોર્ટ સર્કિટ થાય છે, અને પછી ફ્યુઝ ફૂંકાય છે, સર્કિટને સુરક્ષિત રાખવામાં ભૂમિકા ભજવે છે, પરંતુ આ રીતે સમારકામ અને રિપ્લેસમેન્ટ વધુ મુશ્કેલીકારક છે.